Infineon-Toshiba: cél az FeRAM

[Electic] Az Infineon Technologies AG és a Toshiba Corporation most jelentette be, hogy egy nemrég kötött szerződés értelmében a két cég ezentúl közösen fog olyan termékeket kifejleszteni, mint például a különböző "nem felejtő" memóriák, vagy a ferroelektromos elven működő eszközök.

Az FeRAM (Ferroelectric Random Access Memory) technológia a memóriamodulok terén egy teljesen újfajta elképzelést jelent. A különböző ferroelektromos anyagok felhasználásával az FeRAM-ok esetében kombinálják a széleskörben alkalmazott dinamikus és statikus véletlen elérésű memóriák nagy sebességét, valamint megbízhatóságát azzal, hogy az új memóriák áram nélkül is képesek lesznek tartalmuk megtartására.

A most kötött szerződés értelmében a technológiai és termékfejlesztési munkálatok elsősorban a memóriacellák struktúrájának fejlesztésével fognak foglalkozni, így többek közt növelhető lesz az írási és olvasási ciklusok száma, csökkenthető az elérési idő, valamint növelhető a huzamosabb működés alatti megbízhatóság is. Az FeRAM-ok gyártásakor egyébként a legfontosabb lépés az, amikor a szilícium alapanyagon finoman fémes szennyező réteget hoznak létre. Az első kiskereskedelemben is kapható ferroelektromos elven működő RAM-ok 32 MB-osak lesznek, és mobiltelefonokban fogják alkalmazni őket.

Az FeRAM-ok többek közt olyan előnyökkel rendelkeznek majd a mostani NOR flash memóriákhoz képest, mint például az SRAM-hoz hasonlóan gyors olvasási és programozás, vagy az alacsonyabb áramfelvétel. Ezáltal az FeRAM memóriamodulok főleg olyan eszközök esetében lesznek népszerűek, mint a játékkonzolok, a mobiltelefonok, vagy a különböző kéziszámítógépek. Az Infineon és a Toshiba cégek együttműködésének első gyümölcse, a 32 MB-os FeRAM memória a jelenlegi MCP (multi chip package) modulokat fogja leváltani, melyeket főleg mobiltelefonokban alkalmaznak, és amelyekben az SRAM chip-ek és a NOR flash memóriák kombinációja található meg.

Az együttműködés keretében felhasználják a Toshiba PZT gyártási technológiában való jártasságát, valamint szabadalmaztatott láncolt memóriacella struktúráját, az Infinenon pedig a írási-olvasási ciklusok számának növeléséhez szükséges szellemi tőkét és a szilíciumon történő fémes szennyezőréteg felvitelében szerzett tapasztalatait fogja beadni a közösbe.