Nagyot gyorsít a belső tárolókon a Samsung

A negyedik generációs UFS jóval nagyobb sebességet kínál közvetlen elődjénél.

Az okostelefonokban, táblákban, valamint egyéb eszközökben használt flash-tárolóegységek többnyire az UFS-technológián alapulnak, erről nem szoktunk beszámolni, viszont a prémium megoldásokban komoly figyelmet szentelnek erre, illetve a pontos verziószámra, hiszen ez az átviteli sebességet is meghatározza. Nemrég még a Samsung és az AMD közös chipje is az UFS 3.1-et kezelte, most viszont elkészült az utód, amely komoly ugrással kecsegtet.

A Universal Flash Storage (UFS) 4.0 végleges formájának elkészültét maga a dél-koreai gyártó jelezte a napokban, ezúttal egy rövid Twitter-bejegyzés formájában. Ebből megtudjuk, hogy a negyedik generáció a szekvenciális átvitel esetében már 4200 MB/s-os olvasási sebességet kínál, ami éppen kétszerese a 3.1-es verzió plafonjának, eközben azonban az írási sebesség 2800 MB/s-ra ugrik, ami több mint kétszeres javulást jelent, hiszen a mostani generáció ezen a téren 1200 MB/s-nál tetőzik. Mindezt úgy érik el, hogy sávonként már 23,2 Gbps lesz a limit, a 7. generációs V-NAND (vertical NAND) alkalmazásával pedig egyszerre 176 sávot kombinálnak majd.

Ami a tárolókapacitást illeti, a Samsung elmondása szerint 1 TB lesz a felső plafon, mivel azonban ez a jelenleg alkalmazott generáció esetében is így van, a megjelenést követően minden bizonnyal további bővülésre számíthatunk. Ez a szint azonban (különösen a nagy átviteli sebesség elérhetővé tételével) még egy darabig biztosan elég lesz a prémium okostelefonok és egyéb megoldások megfelelő kiszolgálásához, így ezen tárolókkal nem lesz különösebb gondunk. Az energiahatékonyság terén eközben 46 százalékos javulást vetítenek előre, a fizikai méret pedig 11 mm x 13 mm x 1 mm lenne, vagyis igencsak kis területet foglalnak majd el ezen komponensek.

A sorozatgyártás beindítását a harmadik negyedévben tervezik, vagyis az első ilyen tárolók az év végén, illetve 2023 elején válnak majd elérhetővé a különböző készülékekben.