4 Gbit-es DDR SDRAM chip a Samsungtól

[EETimes] A Samsung Electronics Corporation fejlesztőmérnökeinek a rendkívül fejlett 0,11 mikronos gyártási technológia segítségével sikerült olyan DDR (Double Data Rate) SDRAM memóriachip prototípusokat létrehozniuk, melyek 4 Gbit-es kapacitással rendelkeznek. Az új memóriachipeket a napokban megrendezésre került VLSI Technology Symposium keretein belül mutatták be a megjelenteknek a Samsung cég képviselői.

Hong-Sik Jeong, a Samsung egyik vezető beosztású fejlesztőmérnöke elmondta, hogy az ilyen nagy adatsűrűségű memóriachipek sorozatgyártására legkorábban 2004-ben nyílik majd lehetősége a Samsungnak, de Jeong szerint manapság igazából még nincs is szükség ilyen nagykapacitású memóriachipekre. Jeong elmondta, hogy természetesen addig is folytatják majd a kutatásokat, míg a most bemutatott DDR memóriachipek sorozatgyártásához megfelelő technológiák nem állnak a Samsung rendelkezésére, így a közeljövőben várhatóan egyéb memóriatípusokból is előáll majd a cég egy-egy 4 Gbit-es chippel. A Samsung fejlesztői rendkívül büszkék arra, hogy a 4 Gbit-es memóriachipek memóriacelláiban már 80 nanométeres méretű tranzisztorokat is sikerült alkalmazniuk, valamint pestiesen szólva a háromszintű CVD (Chemical Vapor Deposition) technológia felhasználása sem semmi.

A Samsung által kifejlesztett 4 Gbit-es DDR SDRAM memóriachip 645 négyzetmilliméteres felülettel rendelkezik, így manapság többek közt a túl nagy méret miatt is alkalmatlan lenne a sorozatgyártásra. Jeong elmondta, hogy a Samsungnál továbbra is gőzerővel folytatják a minél nagyobb kapacitású és minél kisebb méretű DRAM memóriák fejlesztését, így a cég következő generációs memóriachip prototípusaiban még kisebb tranzisztorokat, továbbfejlesztett kapcsolási technológiákat és új töltéstároló megoldásokat alkalmaznak majd. A Samsung mérnökei nem elégednek meg a 4 Gbit-es DRAM chipekkel, így a közeljövőben egy 8 Gbit-es prototípus megjelenésére is számítani lehet, ennek legyártásához azonban már 70-80 nanométeres gyártási technológiára lesz szükség. Jeong szerint a 8 Gbit-es DRAM chipek létrehozásához a cég mérnökeinek még számos fejlesztési feladatot végre kell hajtaniuk a ruténiumos tantáloxidot tartalmazó fém-szigetelő-fém felépítésű töltéstárolók esetében.