Az Intel technológiai tervei

[Vr-Zone] Robert S. Chau, az Intel Transistor Research részlegének az igazgatója néhány új részletet hozott nyilvánosságra az Intel által nemrégiben bejelentett 0,02 mikronos kapuhosszal rendelkező MOS tranzisztorokkal kapcsolatban.

Chau elmondta, hogy az ilyen rendkívül fejlett technológiával készülő tranzisztorokból 2007-ben egy processzorba már akár egy milliárd darabot is bele lehet majd integrálni, a működési frekvencia esetében pedig a 20 GHz elérése sem lesz lehetetlen. Az Intel által nemrégiben legyártott kísérleti tranzisztorok felépítése és anyaga egyébként teljes mértékben hasonlít a manapság széles körben alkalmazott tranzisztorokéhoz, azonban például a szigetelő rétegek vastagsága mindössze 0,8 nanométer, vagyis 0,0008 mikron. Ez a 0,8 nanométeres vastagság körülbelül három atom egymásra helyezésével érhető el. Az Intel által az új 0,02 mikronos technológiával készülő tranzisztorokon elvégzett tesztek után kijelenthető, hogy az új tranzisztorok kapcsolási karakterisztikája teljes mértékben megegyezik a manapság gyártott Pentium 4-es processzorokban, vagy például a 256 Mbites DRAM memóriachipekben használt tranzisztorok karakterisztikájával, ami a jövőbeli felhasználási területek szempontjából mindenképpen üdvözölendő tény.

Eljárás neve	P854	P856	P858	Px60	P1262	P1264	P1266	P1268
Bevezetés éve	1995	1997	1999	2001	2003	2005	2007	2009
Fotó-Litho. Tech. (mikron)	0.35	0.25	0.18	0.13	0.09	0.065	0.045	0.032
Kapuhosszúság (mikron)	0.35	0.2	0.13	0.07	0.05	0.03	0.02	0.016

Chau nyilvánosságra hozta az Intel technológiai roadmapjét is, melyből kiderül, hogy a jelenlegi, Px60-as gyártási technológia 0,13 mikronos fotolitográfiai technológiáját várhatóan 2003-ban váltja majd fel a 0,09 mikronos gyártási technológia, és míg a jelenlegi Intel processzorokban 0,07 mikronos kapuhosszal rendelkező tranzisztorok kapnak helyet, addig a 2003-ban napvilágot látó processzorok esetében ez a méret már 0,05 mikronra fog csökkeni. Az Intel a jelenlegi tervek szerint 2005-ben veszi majd használatba a P1264 névre hallgató 0,065 mikronos új gyártási technológiát, melyet várhatóan 2007-ben vált majd fel a 0,045 mikronos, P1266-os technológia. Az Intel távolabbi terveit tekintve kiderül, hogy 2009-ben kerül majd alkalmazásra a P1268-as, 0,032 mikronos gyártási technológia, és várhatóan ettől az évtől kezdve lesz majd képes az Intel a 0,016 mikronos kapuhosszal rendelkező tranzisztorok gyártására is.