Már a Texas Instruments is 130 nm-en

(EE Times) A Texas Instruments-nek (TI) is sikerült kifejlesztenie a 130 nm-es gyártási eljárást. A technologiában rejlő kockázatokat a rézkapcsolatok Applied Materials által kifejlesztett Black Diamond szigetelőanyagának kombinálásával érték el. A TI reményei szerint versenytársainál olcsóbban tudja kínálni csúcsteljesítményű félvezetőit.

Az eddigi 0.18 mikronos technológiáról várhatóan 2001-re térnek át 0.13-ra. Az technológiaváltás révén csökkenthetik a felhasznált anyagmennyiséget is, kb. 30%-al kevesebb wafer (a chipgyártás során ebből vágják ki magukat a chipeket) szükséges ugyanannyi processzor legyártásához. A 150 nm-es lépcsőfokot a technika 18 havonkénti váltása miatt hagyják ki, ilyen szűk időtartamhoz a vásárlók sem tudnának alkalmazkodni és a a ciklus közepén a TI sem lenne képes új erőforrásokat bevonni. A vezetékek közötti 130 nm-es távolság azt jelenti, hogy egy négyzetmilliméteres területre 156,000 tranzisztort tudnak bezsúfolni - az ipar rekordja az SRAM, mivel annak sürűsége 450,000 bit/mm2. A kapu sebessége is radikálisan nőni fog, 60%-al kevesebb idő alatt haladnak át rajta az adatok, és a többi kapcsolat is 30%-al gyorsul. A TI 2002 közepére tervezi elérni a 100 nm-ert, először a kis, majd a nagyobb áramfelvételű tranzisztoroknál.
A vállalat nagy jövőt lát az egyre nagyobb teljesítményt igénylő mobiltelefonokban történő felhasználásban. A keskenyebb huzalozás új gyártási módot is igényel, ezért áttérnek a 193 nm hullámhosszon működő argon-fluor lézerek használatára.