Következő generációs memóriák

A Fujitsu és a Toshiba bejelentette, hogy a Winbond Electronics csatlakozik közös fejlesztési programjukhoz, mely a következő generációs memóriák kifejlesztésére irányul.

A 0.13µm DRAM technológia kidolgozására irányuló 30 millárd yenes projektjük 1999 januárjában indult. A Winbond részvételével ezt kiterjeszthetik a 0.11µm eléréséig. A cégek célja az 1 gigabites nagyságú, 0.13µm-es technológiával készült DRAM elérése 2001 végéig, majd 2002 végére ezt 0.11µm-re csökkenteni.
Miközben a DRAM-ok kulcsfontosságú szerepűek a technológia előrehaladásában, addig az utóbbi évek kemény árversenye miatt a gyártók nyeresége eltűnt. Ezt felismerve döntött a három cég a rohamos fejlesztés, az előremenekülés mellett. A szerződés értelmében a Winbond 30 dolgozója csatlakozik a már Japánban a terveken dolgozó 100 Toshiba és Fujitsu mérnökhöz. A Winbond részvétele növeli a rendelkezésre álló tőkét, lerövidití a fejlesztési időt és csökkenti a költségeket.

A Winbond DRAM tervei:

2000 második negyedév - 0.2/0.175um DRAM, 2.8 milliós darabszám
2000 vége - 0.2-ről 0.175-re csökkentés, 3.3 milliós darabszám
2001 vége - 0.13um, 512MB DRAM
2001 vége - 0.13um 1GB Stack DRAM
2002 - 0.11um 1GB Stack DRAM