A világ leggyorsabb DRAM-ja

A Silicon Access Networks Inc, nagy teljesítményű hálózati feldolgozó gyártója a terabites router piacra, ma bejelentette, hogy bemutatták a világ első 0.18 mikronos beágyazott DRAM-ját, amelyet a külső SRAM felváltására terveztek a nagy teljesítményű kábeles hálózati router vonalú kártyák számára.

A cég két típusú memóriát mutatott ma meg, a High-Speed memóriát, mely 133MHz-en működik, és a High-Density memóriát, mely a fele sebességgel működik, de dupla akkora a sűrűsége. Mindkét memóriatípus tervezése és készítése a logikai alapú EmbDRAM™ eljárással készült, melyet Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, a világ legnagyobb gyára fejlesztett. Hozzátéve a nagy sebességhez és nagy adatsűrűséghez, a TSMC eljárás nagy teljesítményű logikai sebességet is biztosít, amely egyenértékű a standard 0.18 mikronos logikai eljárásnak. Az EmbDRAM eljárás 1,8 volt standard értéket használ, mellyel alacsonyabb az áramtékozlás mindegyik memória blokkban.

A megjelentetett hírekkel összhangban a leggyorsabb eredménye a versenyben lévő memóriaterméknek 8ns véletlenszerű ciklusidő 2,5v névleges feszültséggel. A Silicon Access Networks eszköze büszke a 7,5 nanosecundumos véletlenszerű ciklusidejére, 1,8 voltos névleges feszültséggel. Ez a magas sebesség és kisebb fogyasztás kombináció tekintélyes fejlődés.

A Silicon Access Networks High-Speed Smart Memóriája

   - 133MHz-es ciklusidővel fut teljesen véletlenszerű elérési alappal.
   - 250MHz-es lapmód teljesítmény is elérhető és felhasználható 32 Mb sűrűségű memóriablokkig.
   - I/O szélesség 4096 bit, mely felhasználható a véletlenszerű elérési sávszélesség 100 Gb/mp-re történő emelésére.
   - Alacsony fogyasztás.
   - Egyszerű SRAM csatolófelület.
   - Nagy adatsűrűség.

A Silicon Access Networks High-Density Smart Memóriája

   - 166MHz-es lapmódban.
   - A véletlenszerű ciklus elérési ideje 66MHz.
   - Ideális hálózati buffer alkalmazásokhoz 128 Mbit-ig.
   - Standard SDRAM csatolófelület.
   - Nagy adatsűrűség.

Hozzátéve a mai bemutatóhoz, a Silicon Access Networks már fejleszti a következő generációs beágyazott DRAM-ját OC768-as felhasználásokhoz. Ezek a blokkok támogatni fogják a véletlenszerű elérési sebességet 266MHz-ig. A Silicon Access Networks az első OC768 smart memória bemutatását még idén 2000-re tervezi.