A Micron E-DRAM technológiája

A Micron egy új technológiával fogja készíteni a memóriáinak egy részét, amelynek köszönhetően nagymértékű teljesítménynövekedés érhető el.

Az E-DRAM technológia iránt már eddig is óriási volt az érdeklődés. Egyes megfigyelők komolyan hisznek abban, hogy az új eljárásnak köszönhetően jelentősen növekedhet a grafikus eszközök teljesítménye, ugyanis az új, integrált memóriák főleg grafikus chipek kiszolgálásához a legalkalmasabbak.

Az eljárás a 0.15 mikronos DRAM gyártási technológiára épül. A cégnek sikerült úgy megváltozatnia a fémes szerkezeteket, hogy azok a tranzisztorok teljesítményén jelentősen javítottak. A Micron képviselője elmondta, hogy már készítettek olyan grafikus eszközt, amely 12MB beágyazott DRAM-ot tartalmaz. Az eszköz neve V4400, és több mint 125 millió tranzisztorból épül fel. Minden egyes DRAM modul 128 bites I/O (ki/bemeneti) buszt támogat.

A cég munkatársa azt is elmondta, hogy legfőbb céljuk az volt, hogy az úgynevezett várakozási időt a minimumon tartsák, vagy a lehetőségekhez képest esetleg még csökkentsék is azt. A sávszélesség 2.4GB/másodperc. Az egyes memóriabankok azonban egymástól függetlenül működnek. Ez azt jelenti, hogy a hozzáférési, a frissítési és ez egyéb memóriaműveletek átlapolhatók, ami jelentős sebességnövekedést eredményez. Ennek köszönhetően az új grafikus eszköz még a 9.6GB/másodperces sebességet is támogatja.

Az E-DRAM technológia révén nemcsak a grafikus eszközök teljesítmény növelhető meg, hanem például a chipkészleteké is. A Micron által kifejlesztett Samurai lapkakészlet körülbelül 15 százalékkal hatékonyabb, mint az eddigi változatok. Ez a chipkészlet azonban eddig még nem jelenhetett meg a piacon különböző engedélyezési problémák miatt.