A Samsung elkezdte az 1Gbites DRAM chipek kifejlesztését

A koreai Samsung Electronics Co. bejelentette, hogy a cég megkezdte az 1Gbites memóriachipek kifejlesztését. Ha a fejlesztés a tervezett ütemben fog haladni, 2002-re egy 1GB-os memóriamodul akár hétköznapivá is válhat.

Az eddigieknél jóval nagyobb tárolókapacitású memóriachipek a társaság jelenleg tesztelés alatt álló új, Argon-Fluor (ArF) litográfiai eljárásával fog készülni. A cég elmondása szerint az Argon-Fluor litográfiai eljárás során egy újfajta szigetelőanyagot fognak használni. A koreai óriáscég a Shipley-vel, a Rohm and Haas Co. egyik leányvállalatával közösen fogott az új technológia megalkotásába. A megállapodás alig több, mint egy éve született meg. A két cég azóta közösen fejleszti a 193nm-es ArF lézer gyártástechnológiát, valamint az azokhoz szükséges berendezéseket.



A Samsung a Shipley-vel való összefogása eredményeképp a versenytársaknál jóval hamarabb ki tudja majd fejleszteni az említett technológiát, amelyet a két cég később licenszelni szeretne más memóriagyártóknak is. A Shipley már rendelkezik tapasztalatokkal az ArF technológia terén, a Samsung pedig az egyik legnagyobb memóriagyártó, így a két cég együtt igen hatékonyan el tudja végezni a szükséges fejlesztéseket. A szakértők szerint az ArF technológia a 0.13 mikronos csíkszélességtől lefelé elengedhetetlenné válik a precíz memóriachip-gyártáshoz.

A Samsung az 1Gbites chipeket 0.09mikronos gyártási eljárással fogja készíteni, amely lehetővé teszi az óriási kapacitáshoz szükséges nagymennyiségű tárolócella egy chipbe integrálását. A technológia emellett olcsóvá is teszi az előállítást, ami elengedhetetlen lesz a memóriák elterjedéséhez.

A 0.09mikronos technológiát a Samsung a későbbiekben 0.07mikronosra szándékozik csökkenteni, amely egy újfajta eljárással együttesen alkalmazva akár 64Gbites chipek készítését is lehetővé fogja tenni. Az 1Gbites DRAM chipek a Samsung tervei szerint 2002-ben kerülnek piaci forgalomba, 0.09mikronos csíkszélességgel.