2001. február 9. 11:47, Péntek
A koreai Samsung Electronics Co. Ltd. egy új technológia alkalmazásával áttörte a DRAM-ok kapacitásának korlátait, és a cég egy 4 Gbites DDR SDRAM chip prototípusát mutatta be az ISSCC konferencián, San Franciscoban.
A Samsung Electronics az eddigi DRAM chipek sűrűségének négyszeresét érte el, közölte a társaság egyik szóvivője. A cég kutatói 4 milliárd tranzisztort sűrítettek egy átlagos méretű chipbe, közölte Hongil Yoon, a Samsung egyik vezető mérnöke az International Solid-State Circuits Conference nevű elektronikai konferencián, csütörtökön.
"Ez az 1.8 Volton működő 4 Gbites DDR SDRAM chip 100nm-es technológiával készült, a világon elsőként.", mondta Yoon. A chip nyílt, csavart bitvonalas arhitektúrával készült, és 1 négyzetcol méretű. Nathan Brookwood, az Insight 64 vezető elemzője szerint bár a chip valóban rendkívüli, a sorozatgyártásának elkezdéséhez még legalább három, de inkább négy év kell.
"A mostani prototípus egyértelműen bizonyítja a Samsung vezető pozícióját a DRAM-ok technológiájában, de ezek a chipek még sokáig nem fognak a piacon megjelenni, és még több idő fog eltelni, mire a chipek elterjednek.", mondta Brookwood. "Hosszú időnek kell eltelnie, mire egy bemutatott termék sorozatgyártása elkezdődhet." Brookwood hozzátette, hogy Moore törvénye ismét beigazolódott, miszerint a chipekben lévű tranzisztorok száma 18-24 havonta megduplázódik.
"A Samsung mostani prototípusa bebizonyította, hogy továbba is képesek leszünk Moore törvényének elegettenni.", mondta Brookwood. "A DRAM ipar mindig is a chipek tranzisztor-sűrűségét növelte, és már régen nem volt tényleges, komoly újítás."
Brookwood úgy véli, hogy az asztali gépekben egy ilyen chipekből álló memória még évekig szükségtelen lenne, a szerverekben viszont már most igény lenne rá.
Informatika és tudomány