64 Mbites integrált DRAM

[EETimes] A Mitsubishi Electric Corporation és a Matsushita Electric Industrial Corporation által a napokban Tokióban tartott összejövetelen bejelentették, hogy mostantól már olyan új, alacsony fogyasztású, nagy sebességű, és nagy alkatrész-sűrűségű integrált, vagy más néven beágyazott DRAM gyártási technológiákkal rendelkeznek, melyek alkalmazásával egy 10 négyzetmilliméteres alapterületű chipbe akár 10 millió tranzisztort is össze tudnak zsúfolni, és így már ilyen parányi méretek mellett is képesek 64 Mbit-es integrált DRAM-okat előállítani.

A két cég közös fejlesztési munkálatai alatt a legfontosabb célkitűzések közé tartozott a minél kisebb áramfelvétel és a minél kisebb méretű magméret elérése. Erről Shigeki Tomishima, a Mitsubishi Electric cég Hyogo-ban (Japán) található ULSI Fejlesztő Központjában dolgozó kutatója számolt be a sajtó megjelent képviselőinek. A kutatási és fejlesztési munkálatok alatt a kutatók létrehoztak egy olyan, elsősorban hordozható multimédiás eszközökbe szánt MPEG processzort, mely 1 V-os feszülség mellett 230 MHz-en működik, és a 0,13 mikronos gyártási technológiának köszönhetően mindössze 198 mW-ot fogyaszt. A chippel kapcsolatban talán nem is ez a legérdekesebb, hanem az, hogy a beágyazott 32 Mbit DRAM memória adatátviteli sebessége 7,4 GB/sec lett. Ilyen nagyteljesítményű, kisfogyasztású, integrált memóriát is tartalmazó chip eddig még nem létezett a piacon.

A fejlesztők arról is beszámoltak, hogy ezt a nagyon fejlett chipet úgy sikerült kifejleszteniük, majd legyártaniuk, hogy két különböző tranzisztoros típust alkalmaztak, ezenkívül pedig nagyon kis ellenállású fémeket is felhasználtak. A négyréteges, rézcsatlakozókkal ellátott chip mindössze 1 V-os magfeszültséget, 2,5 V-os I/O feszültséget igényel, így sikerült elérniük a 230 MHz-es működési frekvencia mellett nagyon jó fogyasztási értéknek számító 198 mW-ot.

"A különböző hordozható multimédiás eszközökben óriási hasznát vehetik majd a gyártók egy ilyen kisfogyasztású, kis fizikai méretű, de ennek ellenére nagyteljesítményű chipnek. A megfelelő mennyiségű DRAM memóriát is a minél jobb teljesítmény elérésének érdekében integráltuk bele az új chipbe." - nyilatkozta Tomishima.