Új technológiájú Samsung Rambus DRAM-ok

[Electic] A Samsung Electronics vezetői bejelentették, hogy a koreai társaság beindította az új, 150 nm-es technológiával készülő 256 Mbites Rambus DRAM chipek tömegtermelését.

A gyártó az új chipeket, amelyekből nyolc összekapcsolásával 256 MByte-os RDRAM modulok készíthetőek, nagyprecizitású 150 nm-es csíkszélességű gyártási eljárással készíti, amely mintegy 30%-kal fogja megnövelni a társaság gyártókapacitását. Az új gyártási technológia a kisebb méretből következő lecsökkent szilíciumigény mellett lehetővé tette, hogy a Samsung bemutassa a világ első memóriáját, amely képes 1 GHz-en működni.

A 256 Mbites Rambus DRAM-okkal a Samsung jelentős költségcsökkenést ért el a chipek gyártásában, sőt a korábbi, 128 Mbites, 170 nm-es csíkszélességű chipek 27%-ához képest 9%-ra csökkentette az RDRAM chipek méretkülönbségét a kisebb SDRAM változatokhoz képest, amely tovább csökkenti az új RDRAM-ok árát.

A Rambus DRAM-ok jelenleg nagyteljesítményű PC-kben, munkaállomásokban, és játékgépekben használatosak. Az új, 1 GHz-es, 256 Mbites RDRAM chipek azonban két piacon is meg fogják állni helyüket. A szakértők szerint ugyanis az új chipek a nagyteljesítményű PC-ken kívül a hálózati eszközökben is megfelelő megoldássá válhatnak, de a digitális TV-ben, asztali és digitális eszközökben való széleskörű alkalmazás is várható. A Rambus DRAM a szakértők szerint számos területre ideális, ahol maximális teljesítményre van szükség.

Az új technológia következtében lecsökkenő ár, valamint az immár 1 GHz-es órajel várhatóan jelentős növekedést fog hozni az efféle chipek iránt. A társaság azonban még az év végén kiadja az első 130 nm-es eljárással készülő RDRAM-okat is, amely tovább árcsökkentést és sebességnövekedést tesz majd lehetővé.