A Hynix bemutatta a világ első 130 nm-es DDR-SDRAM chipjeit

A Hynix bemutatta a világ első 130 nm-es DDR-SDRAM chipjeit

2001. szeptember 2. 03:46, Vasárnap
A Hynix az Intel Developer Forum (IDF) konferencián bemutatta a világ első olyan DDR-SDRAM memóriachipjeit, amelyek már az új, 130 nm-es gyártási eljárással készülnek.

A koreai Hynix Semiconductor (korábban Hyundai Electronics) az IDF-en bemutatta a társaság első 130 nm-es csíkszélességgel készülő termékeit, az 512 megabites DDR-SDRAM memóriachipeket. A társaság ezzel egyidőben olyan új, alacsony kialakítású memóriamodulokat is bemutatott, amelyek DDR, és hagyományos SDRAM chipekhez készültek. A társaság agresszívan népszerűsíti a DDR-SDRAM memória technológiát, mint a jövő memóriamegoldását, ami nem véletlen, hiszen a Hynix elmondása szerint a világ legnagyobb DDR chipgyártója.

A Hynix azonban nem becsüli le az RDRAM-okat sem: "Mi is gyártunk RDRAM termékeket" - mondta Farhad Tabrizi, a Hynix marketingosztályának elnökhelyettese. "Hisszük, hogy a Rambus DRAM-nak van helye a piacon" - mondta Tabrizi. "Azt is tudjuk azonban, hogy az RDRAM-é egy kényes piac."

Tabrizi elmondta, hogy a DDR-SDRAM-ok elterjedése a számítógépek memóriájaként az AMD támogatásához kötődik, de a konkurens Intel is hamarosan kiadja saját, DDR-SDRAM támogatású chipkészleteit a Pentium 4-hez. A DDR memóriák ára folyamatosan esik, és immár alig 20%-kal drágábbak, mint a hagyományos SDRAM változatok, közölte Tabrizi. "Több nagymennyiséget rendelő partnerünknek azonos áron kínáljuk a kétféle memóriát" - tette hozzá.

A társaság jelenleg 64, 128 és 256 Mbites DDR chipeket gyárt, az első kettőt 180, a 256 Mbitest pedig 150 nm-es technológiával. Az új, 130 nm-es, 512 Mbites DDR chipek tömegtermelése novemberben kezdődik meg, mondta a Hyundai-vezető. A koreai óriáscég jelenleg 128, 256, 512 és 1024 MByte-os memóriamodulokat gyárt, amelyből az 1 GByte-os a jövő hónap végétől rendelhető meg nagyobb mennyiségben.

Kapcsolódó linkek

Listázás a fórumban 
Adatvédelmi beállítások