1 Gbit-es flashmemória chipek

A héten megrendezett ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) szakmai összejövetel keretein belül a Toshiba Corporation és a Samsung Electronics Corporation képviselői is bejelentették, hogy cégeik gyártósorain a közelmúltban elkészültek az első 1 Gbit-es kapacitású NAND flashmemóriák. Mindkét távolkeleti gyártó a legfejlettebb, 0,13 mikronos gyártási technológiák segítségével tudta előállítani ezen újgenerációs flashmemóriákat, melyek sorozatgyártásának kezdési időpontjáról egyelőre egyik cég sem kívánt nyilatkozni, azonban szakértők szerint erre már nem kell sokat várnunk.

Az említett cégek képviselői elmondták, hogy az új flashmemória chipek tömeggyártásának beindítását követően várhatóan rövid időn belül megjelennek majd a piacon az első olyan flashmemória kártyák, melyek oldalain egy-egy 1 Gbit-es kapacitású memóriachip kap majd helyet, vagyis az ily módon előállított, elsősorban a digitális fényképezőgépek és a hordozható digitális audiolejátszók piacára szánt memóriakártyák összkapacitása 256 MB lesz, mely általában a legtöbb felhasználó igényeinek elegendő tárolókapacitást jelent.

Jun Lee, a Samsung Electronics fejlesztőmérnöke a bejelentés kapcsán elmondta, hogy az 1 Gbit-es flashmemória chipek elődeikhez képest nem csak nagyobb kapacitással, hanem nagyobb sebességgel is rendelkeznek, ami azt jelenti, hogy 2 KB-os lapméret mellett az új memóriachipek programozás közbeni adatátviteli sebessége meghaladja a 7 MB/s-ot, ami a korábbi NAND flashmemóriákhoz képest megközelítőleg 75 százalékos sebességnövekedést jelent. A Samsung 1 Gbit-es flashmemóriájáról ezenkívül azt is tudni lehet, hogy ciklusideje 50 nanoszekundum, a működéséhez szükséges feszültség pedig 1,8 V. "A hang és mozgókép rögzítésére alkalmas újgenerációs digitális eszközök esetében nemcsak a tárolókapacitás, hanem a megfelelő adatátviteli sebesség is fontos, éppen ezért a most bemutatott új flashmemória chip egyrészt nagy kapacitású, másrészt pedig gyorsan programozható" - nyilatkozta Lee.

Ken Takeuchi, a Toshiba mérnöke elmondta, hogy a Toshiba újgenerációs flashmemória chipje 0,13 mikronos csíkszélesség mellett 125 négyzetmilliméteres magmérettel rendelkezik, a működéséhez szükséges feszültség pedig 2,7 V. A Toshiba új flashmemóriájáról ezenkívül azt is tudni lehet, hogy programozási sebessége 10,6 MB/s, olvasási sebessége pedig 20 MB/s.