Intel: előre a 0,09 mikronos úton

Az Intel munkatársai a napokban arról számoltak be, hogy a chipgyártó a közeljövőben oly módon kívánja növelni mikroprocesszorai teljesítményét, hogy az azok alapját képező szilíciumot úgymond kifeszíti, széthúzza. A Santa Clara-i (Kalifornia) székhelyű cég képviselői elmondták, hogy a speciális technológia lényege, hogy a szilíciumatomok a normálisnál jóval távolabb helyezkednek el egymástól, ami a 0,09 mikronos gyártási technológiák alkalmazásával párhuzamosan minden eddiginél magasabb frekvenciájú és egyben nagyobb teljesítményű processzorokat fog eredményezni.

Mark Bohr, az Intel architektúrális fejlesztésekkel foglalkozó részlegének az igazgatója az üggyel kapcsolatban elmondta, hogy lényegében a 90 nanométeres csíkszélességgel rendelkező mikroprocesszorok lesznek az Intelnél a nanotechnológiai éra első termékei, melyek vadonatúj szigetelési technológiákat, minden eddiginél parányibb belső alkatrészeket és számos más fejlett megoldást vonultatnak majd fel. Bohr utalt arra, hogy az Intel első 0,09 mikronos gyártási technológiák segítségével előállított processzora a Prescott maggal rendelkező újgenerációs Pentium 4-es chip lesz, mely a chipgyártó ígéretei szerint valamikor a 2003-as esztendő második felében fog bemutatkozni.

"A mikroprocesszorok alapanyagát képező szilícium úgymond kifeszítésével az elektronok minden korábbinál gyorsabb mozgásra bírhatók, vagyis ezen új technológia alkalmazásával minden eddiginél nagyobb teljesítményű processzorok lesznek legyárthatók. Az alapötlet egyébként nem számít újdonságnak. Nagy méretű tranzisztorok esetében már számos esetben sikerült megvalósítani, azonban mindeddig kétséges volt, hogy a nagy teljesítményű processzorokban használatos, rendkívül apró tranzisztorok esetében is működik-e a dolog" - nyilatkozta a mostani bejelentés kapcsán Bohr.

Bohr utalt arra, hogy a 0,09 mikronos csíkszélességgel rendelkező újgenerációs mikroprocesszorok egyrészt jelentősen gyorsabbak lesznek elődeiknél, másrészt pedig jóval több tranzisztort fognak tartalmazni. Az Intel egyébként nemrégiben mutatott be egy olyan 0,09 mikronos csíkszélességű SRAM chip prototípust, mely 100 négyzetmilliméteren több mint 330 millió darab tranzisztort tartalmaz. Bohr véleménye szerint egy 300 milliméter átmérőjű szilíciumszeleten a közeljövőben mintegy 120 milliárd darab tranzisztor fog elférni.