AMD: 30 százalékkal gyorsabb tranzisztorok

A processzorgyártó AMD bejelentése szerint a társaság egy olyan technológiát dolgozott ki, amely lehetővé teszi a mikrochipekbe integrált tranzisztorok sebességének 30 százalékos növelsését.

Az AMD kutatói a SoI (Silicon-on-Insulator - szilícium a szigetelőn) technológiát fejlesztették tovább úgy, hogy az eljárással készülő tranzisztorok akár 30 százalékkal gyorsabbak lehetnek a jelenlegi leggyorsabb fémoxid félvezető tranzisztoroknál.

A Fully Depleted Silicon-on-Insulator (teljesen kiürített SoI) elnevezésű technológia a közelmúltban kifejlesztett SoI technológiára épül. A SoI lényege az, hogy a szilícium alapanyag, illetve a tranzisztort alkotó szilícium közé egy elektromosan szigetelő oxidréteg kerül, amely lecsökkenti a tranzisztor kapacitását. A tranzisztor kapacitása lassítja a félvezető kapcsolási sebességét, így a lépéssel jelentősen megnő az elérhető működési sebesség.

A SoI technológiára épülő tranzisztorok előállítása nehézkesebb, mint a "hagyományos" CMOS változatoké, mivel ezen előbbi komponensek teljesen más fizikai kialakítást igényelnek. A tranzisztorok bonyolult kialakítása növeli a lehetséges tökéletlenségek, hibák esélyét. A SoI megoldásokban ezen hibák előfordulási gyakoriságát sűrű, részlegesen kimerített szilícium filmek alkalmazásával csökkentik.

Az AMD kutatói a jelek szerint megtalálták azt az eljárást, amellyel az ilyen tranzisztorokra épülő processzorok könnyen és olcsón állíthatók elő, így a közeljövőben a piacon forgalmazott mikroprocesszorokban is megjelenhet a technológia.

A kutatási eredményekről a Kiotóban megrendezendő, júniusi VLSI Szimpózium konferencián számol be részletesen a társaság. Az AMD szerint a mostani áttörés az évtized második felében készített processzorokba kerülhet bele, és önmagában átlagosan mintegy 20-25 százalékos teljesítménynövekedést is eredményezhet a hagyományos eljárással készült megoldásokhoz képest.