2 GB-os DDR2 modulok a Samsungtól

A Samsung Electronics bejelentette, hogy elkészült az első 2 GB-os DDR2 SDRAM memóriamodul, amely a várakozásokkal ellentétben még 80 nanométeres technológiával készült.

A vállalat közleménye szerint az új termék javítja a szerverek és munkaállomások teljesítményét, és rendkívül kedvező a memóriaigényes alkalmazások - mint például a valós idejű videó konferenciák, a kétirányú kommunikáció, valamint a háromdimenziós alkalmazások - számára. "A Samsungnak sikerült 80 nanométeres gyártástechnológiával elkészítenie az új DDR2 SDRAM modult, jóllehet a korábbi számítások szerint a 2 GB-os modul legyártása már 65 nanométeres technológiát igényelt volna" - áll a vállalat közleményében.

Ez elsősorban azért fontos, mert a 65 nanométeres gyártástechnológia jelenleg kuriózumnak számít, és a gyártási költségek minden bizonnyal jelentős mértékben megnövelték volna a memóriamodulok kereskedelmi árát, késleltetve a technológia elterjedését. A közlemény kiemeli, hogy a tranzisztorok új, háromdimenziós elrendezése révén nagymértékben sikerült csökkenteni a szükséges területet.

A "recess channel array transistor" (RCAT) néven ismert technológiát a vállalat először 2003-ban alkalmazta, de csak további jelentős fejlesztések után sikerült elérniük, hogy a korábbi csíkszélesség megtartása mellett 2 GB kapacitású DDR2 memóriamodulokat állítsanak elő. A Samsung tervei szerint a 80 nanométeres technológiával készülő modulok sorozatgyártása 2005 második felében indulhat meg, így bőven marad idő a további fejlesztésekre, és a gyártási folyamat finomítására. A 2 GB-os modulok a DDR2 szabványnál megszokott FBGA tokozásra épülnek, és a Samsung reményei szerint a közeljövőben - a modul felépítésének további módosítása nélkül - 4, de akár 8 GB memóriát is összesűríthetnek majd egyetlen modulon.