Intel: többszintű cellás NOR flash memória

Az Intel Corporation ma bejelentette, hogy megkezdi az iparág első, 90 nanométeres technológiával készült többszintű cellás (multi-level cell, MLC) NOR flash memóriájának szállítását.

Az új StrataFlashR Cellular Memory (M18) nagyobb sebességet, nagyobb sűrűséget nyújt alacsonyabb energiafelhasználás mellett, mint az előző 130 nanométeres verzió. Az új termékkel az Intel célja, hogy sikeresen kielégítsék a fényképezőgéppel, színes kijelzővel, web böngészővel és videofelvevővel rendelkező okostelefonok iránti megnövekedett igényt. "A flash memória a mobiltelefonos alkalmazások következő generációjának egyik motorja" - nyilatkozta Darin Billerbeck, az Intel Flash termékcsoportjának elnöke és ügyvezető igazgatója.

"Az M18 a teljesítmény, a sűrűség és az alacsony energiafelhasználás kombinációját nyújtja a mai mobiltelefonok tervezőinek. Mindemellett az M18 az Intel megbízható és költséghatékony, ötödik generációs MLC technológiáján és 90 nanométeres folyamat-litográfiáján alapul" - tette hozzá. A szabvány az iparág legnagyobb olvasási sebességével rendelkezik, amely lehetővé teszi, hogy az új flash memória ugyanazon a busz-frekvencián működjön, mint a mobiltelefonos chipsetek (133 Mhz-ig). Ennek segítségével gyorsabbá válnak a felhasználói alkalmazások, mivel a lapkakészlet és a memória közötti kapcsolat nagyobb sebességű, mint a 130 nanométeres verzióban.

Az akár 0,5 MB/ másodperc írási sebességgel rendelkező M18 3 megapixeles kamerát és MPEG4 videót is támogat. Az eredeti berendezésgyártók (ún. OEM-ek) számára alacsonyabb előállítási költségeket jelent, köszönhetően a korábbi verzióknál háromszor gyorsabb programozhatóságnak. Az M18 programozása harmadannyi energiát vesz igénybe, a törlés pedig feleannyit, mint a korábbi generációkhoz tartozó termékek esetén, valamint új, Deep Power Down működési móddal is rendelkezik az akkumulátor élettartamának meghosszabbítása érdekében.