Nagyon gyors lesz a Galaxy S23

Erre utal az első benchmark, amely a Qualcomm hivatalos bejelentését is megelőzte.

Az elmúlt hetekben mi is előre jeleztük, hogy már gyakorlatilag összeállt a Galaxy S23, amely nyilván a Samsung soron következő zászlóshajójaként mutatkozik majd be, valamikor a jövő év elején. Most ennek teljesítményéről kaptunk érdekes képet, az első korai benchmark eredménye alapján.

A Geekbench adatbázisában bukkant fel a napokban a friss mérési eredmény, amelyben a Snapdragon 8 Gen 2 chip erejét igyekeztek jobban körülhatárolni. Ebben azt látjuk, hogy valóban komoly teljesítményre, jelentős előrelépésre számíthatunk, amit többek között a némileg eltérő felépítésnek köszönhetünk. A vadonatúj chip már egy, kifejezetten erős magra, 4 közepes, valamint 3 szerényebb egységre épül, ezek órajele sorrendben 3,36 GHz, 2,8 GHz, valamint 2,02 GHz. Ezzel az új telefon még a friss iPhone 14 Pro-típusokkal is felveszi a versenyt, amelyek már az Apple A16 Bionic chipjére épülnek, szintén kiemelkedően nagy erővel. Mindez jó hír a dél-koreai gyártónak, amely az S22 esetében ezt még nem igazán tudta elérni – igaz, a saját típus jóval korábban mutatkozott be a nagyközönség előtt.

A Qualcomm a kifejezetten nagy teljesítmény mellett a hatékonyságon is igyekezett javítani, nagy mértékben építve a TSMC második generációs 4 nm-es gyártástechnológiájára. Az SM8550 ennek megfelelően komoly előrelépést ért el a közvetlen elődhöz képest, hiszen az egyetlen Cortex-X3 mag 25 százalékkal gyorsabb az X1-hez képest, a szerényebb példányok (2 Cortex-A715 és 2 Cortex-A710, valamint a 3 Cortex-A510) pedig optimalizált módon működnek együtt – illetve kapcsolódnak ki, amikor nincs rájuk szükség. Az igazi számokat persze majd csak a megjelenés után, a hétköznapokban látjuk majd, az első mérés eredményei azonban mindenképpen biztatóak.

Ahogy említettük, a telefon az év elején, a szokásos időpontban mutatkozik be, erről mi is beszámolunk majd.