"RAS - Row Address Strobe or Row Address Select. CAS - Column Address Strobe or Column Address Select. tRAS - Active to precharge delay. This is the delay between the precharge and activation of a row. tRCD - RAS to CAS Delay. The time required between RAS and CAS access. tCL - (or CL) CAS Latency. tRP - RAS Precharge. The time required to switch from one row to the next row, i.e. switch internal memory banks. tCLK - CLocK. The length of a clock cycle. Command Rate - This is the delay between Chip Select (CS) or when a IC is selected and the time commands can be issued to the IC. Latency - The time between when a request is made and the request is answered. I.E, if you are in a restaurant, the latency would be the time between when you ordered your meal to the time you received it. Therefore, in memory terms, it is the total time required before data can be written to or read from the memory.
Some of the above terms are more important to system stability and performance than are others. However, it is important to understand the role of each of these settings/signals in order to understand the whole. Therefore, the numbers 2-3-2-6-T1 refer to CL-tRCD-tRP-tRAS-Command Rate and are measured in clock cycles. tRAS Memory architecture is like a spreadsheet with row upon row and column upon column with each row being 1 bank. In order for the CPU to access memory, it must first determine which Row or Bank in the memory that is to be accessed and activate that row via the RAS signal. Once activated, the row can be accessed over and over until the data is exhausted. This is why tRAS has little effect on overall system performance but could impact system stability if set incorrectly.
tRCD There is a delay from when a row is activated to when the cell (or column) is activated via the CAS signal and data can be written to or read from a memory cell. This delay is called tRCD. When memory is accessed sequentially, the row is already active and tRCD will not have much impact. However, if memory is not accessed in a linear fashion, the current active row must be deactivated and then a new row selected/activated. It is this example where low tRCD's can improve performance. However, like any other memory timing, putting this too low for the module can result in instability.
CAS Latency Certainly, one of the most important timings is that of the CAS Latency and is also the one most people understand. Since data is often accessed sequentially (same row), the CPU only needs to select the next column in the row to get the next piece of data. In other words, CAS Latency is the delay between the CAS signal and the availability of valid data on the data pins (DQ). Therefore, the latency between column accesses (CAS), plays an important role in the perfomance of the memory. The lower the latency, the better the performance. However, the memory modules must be capable of supporting low latency settings.
tRP tRP is the time required to terminate one one Row access and begin the next row access. Another way to look at this it that tRP is the delay required between deactivating the current row and selecting the next row. Therefore, in conjunction with tRCD, the time required (or clock cycles required) to switch banks (or rows) and select the next cell for either reading, writting or refreshing is a combination of tRP and tRCD.
tRAS Next comes tRAS. This is the time required before (or delay needed) between the active and precharge commands. In other words, how long must the memory wait before the next before the next memory access can begin.
tCLK This is simply the clock used for the memory. Note that Frequency is 1/t. Therfore, if memory was running at 100Mhz, the timing of the memory would be 1/100Mhz or 10nS.
Command Rate The Command Rate is the time needed between the chip select signal and the when commands can be issued to the RAM module IC. Typically, these are either 1 clock or 2."
mi jelenleg csak Kingston ram-ot árulunk raktárról :) persze hozzá teszem hogy 95%-ban cégeknek adunk el oda nem tuning hanem alapon atomstabil ram kell, az elmúlt 1 évben több mint ezer Kingston és PQI(sulinet) ramot adtunk el egyetlen egy se jött még vissza garhibával, Geil ramra se volt eddig még panasz.
Errol mi a velemenyed? Kingston 512 MB DDR (KVR400X64C25/512)? A Prohardveren volt egy memoria teszt abban elhuztak DDR 472-ig! Szerinted nem lenne rizikos megvenni? Lehetseges az hogy megveszem es utana kiderul hogy az pont nem megy ilyen orajelen amit megvettem!
tojok rá!játékra megfelel majd!amúgyi egyyûszer kell sok pénzt kidobni a gépre azt 2-3 évig bõven elég az!
meg akkor ennyit errõl a helyrõl(Memória topig)!kérdeztem Én már jóval régebben,hogy melyik memcsi a jó erre itt ezt a választ kaptam: ez + ez + ez de a Twinmos is jó!Senki se tudott konkrét választ adni! csak a vakvilágba mindenki magyarázz...aztán nmelyik okostojásnak lövése sincs az egész memória témáról,de beleszól! Igaz nekem sincs és ezért kérdezgetek,de konkrét választ életbe kaptam még itt...hogy mér jó ez és mér jó az! Ez volt a "Melyik tápot?" topicba is,kérdeztem erre néhány parasztsurmó...van ám GUGLE is és ott megtalálsz mindent!
Hát köszönöm szépen! ki lettem segítve... Visszatérve a memóriára nekem ez jó és kész.
Ez a Twinmos nekem "megtetszet" és olvastam a PH-n róla cikkeket hogy jól lehet tuningolni és ezért választottam ezt! Amúgy Geil-t akartam venni,de itt a dunaántulon életbe lehet olyat kapni hogy rohadna le!
akkor valaki magyarázza el hogy mit is jelent az a sok szám,mert mindenki csak azt mondja,hogy: Az enyém ennyin megy meg annyin megy azt ha kérdez valaki ebben a témában valamit csak kussol az illetõ....
valaki tudna segíteni?kicsit láma vagyok ehhez a témához. mert van az hogy a láblécembe található memcsi 333Mhz-en megy?hol 400-as!
na ez az amit most nem tudok megválaszolni:) nem tudom akkor mennyi volt, mert sajna nem bírta a gép a terhelést, nem volt stabil, ill. a memtest hibát írt tesztelés közben. úgyhogy egyenlõre visszavettem 222 MHz-re (22-es csapdája :P) és egyenlõre ennyin stabil, teszt nélkül, mert nem értem rá:( mikor bejön indulásnál, akkor azt tudom, hogy kiírja a 2,5-es CL-t, meg az 1T-t ill. azt is, hogy Single Channel, de hogy utánna mennyit ír??? azt nem tom sajna. A BIOS-ban Auto-n hagytam, hogy kezelje magától a cuccost. majd megnézem keddre:)
Sajnos az Intelekhez nem sokat értek (nem sok Intel van a közelemben), de mindenestre érdekes, nem tudom mennyire érzékenyek ezek a lapok a memókra, de pl. NForce2-es deszkánál már láttunk olyat, hogy két különbözõ gyártótól származó 256Mbyte-os modul nem ment benne, míg ugyanezek a memók egy VIA alaplapban addig vígan elvoltak egymás mellet.
A noname annyit tesz itt, hogy valami dzsunka gyártó fogja a samsung chipeket, és õ gyárta le a nyákot, illetve szereli rá a chipeket. A minõség változó, nekem 333Mhz-es ilyen samsung chipes ramjaim voltak, és 400Mhz-et vitték (igaz elég tré idõzítésekkel). Viszont sok rosszat is halani ezekrõl. Ha jól tudom, itthon nem kaphatóak eredeti samsung memóriák (tehát amit a Samo is szerelt össze).
nincs vmi oldal ahol a szériahibás ram típusok fel vannak sorolva?
és a CAS Latency 2,5 és 2 között? tesztek alapján van ugyan különbség, de elég "kicsi". gondolom azért valahol számít nem?(videotömörítés vagy ilyesmi)
ASUS A7S333as alaplapom van (gondolom a 333as memot támogatja max) müködne benne 400as 512? jelenleg 2db 333as 256mn-os samsung van benne és 1 üres slot
1-es dimm-be tedd az egyedülálló memót, 2-3asba pedig ami duálba megy, ha így se megy cumi! (manual rulz, olvasgasd, hátha többet is megtudsz alaplapodról). Viszont én kérdésemre még senki semmi értelmeset nem válaszolt.. Ennyire bonyi? :D
van egy asus nforce a7n8x alaplapom, melnyek 3 memória slotja van, dual chanel mód islehetséges. van 2 samsung 512 400ddr-em, és egy másik márkájú ugyancsak 512-es 400as ddr, tehát 3 megegyezõ ulajdonságú memóriám. Ha berakom a 2 samsungot frankón mûködik a dual channel, csakhogy, ha berakom a 3.-at is, akkor ugyanúgy marad a dual channel mód, és a 3. memóriát nem érzékeli a gép. Az alaplap max 3gigát tud kezelni. Mi lehet a baj?
természetesen ddr2, csak az nem megy bele a ddr1-es alaplapba:)
még jó, hogy ez lenne a legjobb:)) apropó, az ABIT AN8 is tud ilyet? elvileg az van írva a honlapon, de pl. az ASUS-nál ez külön meg is van említve, szal nem értem
Dual = ha két egyforma típusú és méretû memóriát használsz egy dual-t támogató támogató alaplap megfelelõ slot-jaiban (színek), akkor megduplázódik a memória sávszélesség. DDR400-nál asszem 3.2 --> 6.4 GByte/sec-re.
Melyik jobb? 1 Gb ram vagy 2*512 vagy 4*256???? Nagyon fontos lenne!!
Lemaradt a kérdés: mit csináljak ilyenkor? tudnátok segíteni?
Üdv mindenki! Szívat egy memóriafoglalat! Konkrétan a 3. (utolsó) egy Asus-Tusl2-c alaplapon (szóval nem egy mai darab). 3 memmodullal próbáltam ki, egyiket sem vette észre. Nem poros.
Üdv mindenkinek! Nagy problémáim: Alaplap: ASRock P4S61 sis661fx chipset(legújabb biossal vettem, próbálam régebbit is),Proci: Celeron 2,4GHz (FSB:4x100MHz),RAM: Samsung 512 PC3200 DDR400(Samsung komponensek, MOSEL által összerakva, legalábbis benchmark progik ebben egyetértenek, hogy gyártó az MOSEL :)). Memónak 3-3-3-8as idõzítés kéne DDR400hoz, na most kap 3-4-4-5(vagy 6)-ot alaplaptól DDR400módba.. Csak CAS Latency-t tudom állítani. (Na most everest 5öt, aida32 6ot mond utsó Tras-ra, cpuz meg egyéb hasonló mégcsak ennyit se tud mondani aktuálisról, csak hogy mi kéne memónak). Szal idõzítéseket nem tudom BIOS-ba állítani, és semmi bios meg egyéb tweak, overclock progi nem támogatja chipsetet alaplapot, így nem tudok hozzányúlni. Szal mi a jóbúst csináljak? Ha visszaviszem ahova vettem szervízbe, hogy ugyanmár mi a problem, nem vágnak ki 2 lábbal, hogy kompatibilitás, õket ez így nem érinti? Más memónak más idõzítést adna alaplap?(Honnan a jóizébõl lehetett volna ezt tudni!? SiS oldalán még rajta is lenne validation listán, ha samsung rakta volna össze és ki lehetne bogarászni P/N számot) ASRock support nem válaszol. AMIbios esupport röhej, minden nap ugyanaz a custom gépüzi :D Samsung support utsó válasza: "The last digit of P/N -TCCC means DDR400 3-3-3(CL-tRCD-tRP), but -TCC4 means DDR400 3-4-4.
Anyway, if the component P/N is K4H560838E-TCCC, there isn't any problem.
My final answer is below.
1. If your module is made another module maker(like Kingston, A-data, Corsair and so on), you need to check SPD data. SPD data is ther information of Module, in your module you can find small chip(EEPROM), and it include SPD information. So, if SPD data is written with wrong information, it can result in booting problem.
2. You need to check your board maker(system maker), normally in this case result from system or Bios compatible issue. "
Más: Hybrid Booster technológia!: "CPU Vcore adjustment" Na most ezt se tudom állítani biosba, szal még húzni se tudom procit, pedig ahogy elnézem szépen menne 3,2-õn is, ha kapna szuflát :) És ezzel így mit lehet csinálni? Mert se szorzó(ezt nem is lehet, de ha lehetne), se alapfreki változtatás így nem érdemes. :)
Hi!
visszaolvastam egy kicsit és azt látom, hogy a Kingmax (512 MB/400 MHz DDR1) nem olyan rossz memóriatípus. Mennyire jó? Kingston után a 2. hely? Lehet húzni? Hogyan? Mit nézzek a BIOS beállításokban?