A kialakítás miatt melegednek túl a mobilchipek

A Samsung által gyártott egységek ilyen problémákkal küzdenek, ez azonban az ARM miatt van.

Az elmúlt hetekben nemcsak az újabb csúcskategóriás okostelefonokról és azok főbb komponenseiről, hanem az ezen készülékeknél tapasztaltak gondokról is beszámoltunk. Legutóbb a Samsung már szabadkozott a prémium telefonok visszafogása miatt, most azonban a túlmelegedési gondokról, azok okairól olvashatunk.

Egy szintén dél-koreai forrás adott hírt a napokban ezen túlmelegedési problémák részleteiről, azt emelve ki a cikkben, hogy ez a jelenség elsősorban az ARM architektúrája, annak kialakítása miatt bukkant fel. A korábban közzétett, hasonló beszámolókban arról olvashattunk, hogy mind a Snapdragon 8 Gen 1, mind pedig a házon belül kifejlesztett Exynos 2200 a Samsung 4 nanométeres gyártástechnológiájára épülnek, vagyis leginkább emiatt fordulhatnak elő melegedési problémák, időközben azonban egyértelművé vált, hogy az ARM döntései játszottak ebben nagy szerepet, a teljesítmény jelentős mértékű növelése, ennek igénye ugyanis az étvágy és a hőleadás megugrásához vezetett.

Nem véletlen, hogy a fenti két típusnál hasonló jelenségeket tapasztalunk, ugyanis mindkét változat nagyjából azonos felépítést kapott. A burkolat alatt egyetlen Cortex X2, három nagyobb Cortex-A710, valamint négy kisebb Cortex-A510 mag kapott helyet, ezek sorrendben 16, 10 és 35 százalékkal gyorsabbak a közvetlen elődöknél. Többek között emiatt döntött a Samsung a szintén házon belül megvalósított visszafogás, annak gyakorlata mellett, a friss hírek szerint pedig a soron következő típus, a Snapdragon 8 Gen 1 Plus, pedig egy alacsonyabb órajelű X2-maggal jelenne meg a piacon, elkerülve a hasonló gondokat.

Egyéb beszámolók alapján ez utóbbi chip már nem a Samsung, hanem a TSMC jóvoltából készülne el nagyobb darabszámban, de a napokban az is felmerült, hogy a MediaTek Dimensity 9000, amely a tajvani cég 4 nanométeres megoldására épül, hatékonyabb alternatívát jelent.