Samsung: itt a 8. generációs V-NAND

A gyártó ismét a sebességet és a kapacitást növeli, mégpedig két eltérő területen.

A Samsung kapcsán nem is olyan régen számoltunk be arról, hogy nagyot gyorsít a belső tárolókon a dél-koreai cég, amely akkor többek között a 7. generációs V-NAND (vertical NAND) alkalmazásával érte ezt el. Nemrég arról is írtunk, hogy nem elég gyorsak az SSD-meghajtók a PCIe 5.0-hoz, ezen a területen azonban most újabb előrelépést láthatunk.

A gyártó a napokban jelentette be részletes közleményében, hogy már elkészült a 8. generációs V-NAND, amely az 1 Tb-es chipek elterjedését eredményezheti, az első körben a szerverek területén, ahol mind a PCIe 4.0, mind pedig a PCIe 5.0 által nyújtott lehetőségek jobb kihasználását hozzák ezzel még közelebb. Az átviteli sebesség ezzel a 7. generáció által biztosított, kereken 2 Gbps-ról egészen 2,4 Gbps-ra ugrik, ami nyilván jelentős előrelépés lesz a vásárlóknak, eközben pedig a megoldás fizikai méretét is csökkentik, elkerülve az ilyenkor gyakran jelentkező, az egyes chipek közötti interferenciát.

A Samsung illetékes cégvezetője azt emelte ki, hogy tulajdonképpen a piaci igényeknek igyekeznek megfelelni az új megoldásokkal, hiszen a még nagyobb sűrűséget és jobb sebességet kínáló fejlesztések iránt csillapíthatatlan igény látható. Ahogy említettük, az új chipek eleinte a szerverek területén hódítanak majd, a nagyobb sebesség mellett jelentősen komolyabb tárolókapacitást nyújtva a felhasználóknak, ezt követően azonban az autózás terén is felbukkannak, ahol a megbízhatóság jelenik meg az első helyen a követelmények listáján.

Az új chipek sorozatgyártása most indul el, ezek nyilván néhány héten belül megjelennek majd a piacon.