2001. december 5. 09:45, Szerda
A világ egyik legnagyobb memóriagyártó cégeként nyilvántartott Samsung Semiconductor Inc. képviselői egy a tegnapi nap folyamán tartott sajtótájékoztató keretein belül büszkén jelentették be, hogy a Samsungnak a világon először sikerült előállítania 36 Mb-es QDRII (Quad Data Rate II), DDRII (Double Data Rate II), valamint NtRAM (No Turnaround Random Access Memory) memóriachipeket. A nagy adatsűrűséggel és memória sávszélességgel rendelkező új memóriachipeket a Samsung a saját, rendkívül fejlett 0,15 mikronos gyártási technológiájával gyártotta le, és a várakozások szerint ezeket az újgenerációs SRAM eszközöket hálózati, telekommunikációs, valamint különböző EDP (Electronic Data Processing) környezetekben használják majd különös előszeretettel.
A Samsung képviselői a bejelentés kapcsán elmondták, hogy az újgenerációs QDRII és DDRII memóriák esetében a cég fejlesztői minden olyan új technológiát felhasználtak, melyek segítségével minél nagyobb működési sebesség és ezáltal minél nagyobb memória sávszélesség érhető el, így a cég reményei szerint az új memóriachipek már a következő generációs nagysebességű switch-ekben és routerekben is kiválóan helyt állnak majd. A Samsung újdonságai HSTL (High Speed Transceiver Logic) támogatással is rendelkeznek, melynek segítségével 250 MHz-es frekvencián képesek az adatok küldésére és fogadására egyaránt. Az új Samsung memóriachipekben rejlő lehetőségeket mindenesetre mindennél jobban szemlélteti, hogy a cég már a hivatalos bejelentés előtt is számtalan nagyobb, hálózati termékek fejlesztésével foglalkozó cégtől kapott megrendelést az újdonságokra, melyek egyesek szerint forradalmasíthatják a hálózati környezetekben használatos eszközöket.
A Samsung szerint a felhasználók és a szerverek között elhelyezett switch-ek, valamint a felhasználókat az internetre csatlakoztató routerek, azaz útválasztó berendezések esetében a Samsung 36 Mb-es NtRAM memóriachipjei jelentik az ideális választást, melyek az úgynevezett "no turnaround" busz segítségével folyamatosan százszázalékos hatékonysággal kecsegtetnek, ami még alacsonyabb működési frekvenciák mellett is megfelelő teljesítményt eredményez.
A 165FBGA tokozásban kapható QDRII, a 153BGA/165FBGA tokozású DDRII, valamint a 100TQFP/119BGA/165FBGA/209BGA tokozású NtRAM Samsung memóriák a cég ígéretei lefelé kompatibilisek a cég korábbi hasonló termékeivel. Az újdonságok próbagyártása még az idén megkezdődik, a sorozatgyártás beindulására azonban még a jövő év közepéig várnunk kell.