Intel - még idén jön a fázisváltó memória

A processzorgyártó még az év vége előtt megkezdi a fázisváltó memóriák (PRAM) sorozatgyártását, amelytől a flashmemóriákhoz képest jóval nagyobb sebességet és élettartamot várnak.

Az Intel már az ezredforduló évében licencelte a technológiát, amely a fázisváltó memóriák kifejlesztésének alapja. Ezt eredetileg az Ovonyx nevű cég dolgozta ki, minden más érdekelt vállalat tőlük szerezte meg. A processzorgyártó az elsők között, közvetlenül a Lockheed Martin után csapott le a megoldásra, egyik legnagyobb vetélytársa azonban az a Samsung lesz, amely csak 2005-ben jutott hasonló döntésre.


A Samsung prototípusa
Amint arról korábban beszámoltunk, a PRAM két legnagyobb előnye a sebesség és az élettartam. A dél-koreai Samsung a flashmemóriákhoz képest harmincszorosra ugró sebességet említ, mivel az új adatok tárolása, pontosabban a meglévő állomány újraírása az utóbbi törlése nélkül biztosítható, miközben az élettartam a tízszeresére növekedik. Tovább csökken a méret, a gyártási procedúra pedig jelentős mértékben leegyszerűsödik.

Az Ovonyx kalkogenid üveg anyagot használ fel, ami kiemelkedően gyorsan tudja váltogatni kristályos és amorf állapotát. Az IBM tavaly hasonló megoldást mutatott be, amely a flashmemóriához képest 500-szor gyorsabban váltott állapotot, jóval kevesebb áramot felhasználva. Ezt azonban a méret alapos leszorításával érték el, ami a jelenlegi becslések szerint csak 2015 táján terjedhet el. Az Intel ezzel szemben 90 nanométeren gyártotta le prototípusát, amely a fogyasztást tekintve nagyjából megegyezik a flashtermékekkel, ám az eltárolt adatokat még 85 Celsius-fokon is 10 évig megőrzi. A gyártástechnológiát természetesen gyorsan frissítik, leszorítva a csíkszélességet 65 és 45 nanométerre.

A gyártó szerint a PCM, más néven PRAM egy teljesen új kategóriát nyit meg, és egyesíti a hagyományos RAM, NOR és NAND-memóriák előnyeit. Reményeik szerint a sorozatgyártás még idén megkezdődik, ami 2008-as rajtot sejtet.