Nem fektet be közösen a Samsung és az Apple

Nem fektet be közösen a Samsung és az Apple

2005. október 17. 10:49, Hétfő
A két nagyvállalalat a flash memória üzletágban tárgyalt egy jelentősebb befektetés lehetőségéről, de az Apple meggondolta magát. A chipgyártó óriás eközben bemutatta első 70 nanométeres csíkszélességgel készült DDR2 memóriáit.

A Reuters egy dél-koreai gazdasági napilapra hivatkozva jelentette a tárgyalások megszakadását, ami kissé meglepően hatott azok után, hogy a két cég korábban már jelezte együttműködési szándékát. Ez elsősorban az MP3-lejátszók piacára vonatkozott, hiszen az Apple éppen a Samsungot szemelte ki legfontosabb partnerének, és már lefoglalta a gyártó kapacitásának 40 százalékát. A dél-koreai gyártó eközben a flash memóriák kapacitásának megduplázását ígérte, amely az újgenerációs, 16 gigabites NAND flash memória kifejlesztésének lesz köszönhető.

Az együttműködés ötlete is furcsán hatott, hiszen a Samsung 2007-re már uralni szeretné a flash-alapú lejátszók piacát. A tárgyalásokon egy 3,8 milliárd dolláros közös befektetésről volt szó, amely a gyártókapacitás jelentős arányú bővítését célozta, ám a hírek szerint az Apple visszavonta ajánlatát. "Megbeszéléseket folytattunk az Apple vezetésével az idei évben, ám nem tudtunk megállapodásra jutni a feltételeket illetően" - idézte a napilap a Samsung tisztviselőjét, aki hozzátette, hogy az amerikai cég egy másik chipgyártóval is egyeztetett közös beruházásról. Sokak szerint az Apple azért vonult vissza, mert bizonyos körökben egyre jobban megfigyelhető a Samsung-ellenes érzelmek növekedése. Ez szorosan összefügg az Amerikai Igazságügyi Minisztérium által hozott döntéssel.

A gyártó eközben bejelentette első 70 nanométeres, 512 Mb-es DDR2 memóriachipjeit, amely egyenes leszármazottja a 80, illetve 90 nanométeres példányoknak. A fejlesztést még tavaly kezdték el, és reményeik szerint 100 százalékkal növelni tudják az egy szilíciumostyából előállított chipek számát. A korábbi problémákat új technológiák (Metal-Insulator-Metal (MIM), vagyis fém-szigetelő-fém, valamint a háromdimenziós tranzisztorarchitektúra) alkalmazásával sikerült leküzdeniük.

Terveik szerint az 512 megabites, az 1, illetve 2 gigabites ípéldányok a következő év második felében jelennek meg kereskedelmi forgalomban.

Kapcsolódó linkek

Listázás a fórumban 
Adatvédelmi beállítások