AMD: 40 százalékkal gyorsabb tranzisztorok

Születőben az AMD válasza az Intel 65 nanométeres csíkszélességű processzoraira. Az IBM mérnökeivel folytatott közös fejlesztések, a feszített szilícium révén a tranzisztorok 40 százalékos gyorsulását ígérik.

Az elmúlt években gyorsan előrenyomuló processzorgyártó a Nagy Kékkel közösen dolgozik a jelenlegi generációt felváltó új gyártástechnológiákon, amelyekkel a 65, illetve 45 nanométeres csíkszélesség bevezetését célozzák meg. Az együttműködő felek a napokban megrendezett International Electron Devices Meeting 2005 nevű rendezvényen ismertették a kooperáció legújabb eredményeit, amely reményeik szerint kellő alapot ad a következő év fejlesztéseire, illetve az Intel újdonságainak ellensúlyozására.

Bejelentésükben a teljesítmény 40 százalékos növekedéséről számoltak be a tranzisztoroknál, amit sikerült a fogyasztás és a hőkibocsátás csökkentésével párosítani. Ezt az új technológiák (beágyazott Silicon Germanium (e-SiGe), Dual Stress Liner (DSL) és Stress Memorization (SMT) - kombinálásával érték el, de ennél is fontosabb, a megoldást 65 nanométeren is alkalmazni tudják, sőt, a következő generációknál tervezett csíkszélesség sem okozhat problémát. Nick Kepler, az AMD fejlesztésért felelős csoportjának alelnöke erre alapozta kijelentését, miszerint a közös munka eredményeként a leggyorsabb és legalacsonyabb étvágyú processzorokat dobhatják piacra.

Ez nem lesz könnyű, hiszen az elmúlt hetekben az Intel is igyekezett bizonyítani fejlesztéseinek kiváló eredményeit. Yonah kódnevű mobil processzoruk az első tesztekben meglehetősen jól szerepelt, ám a következő évben emellett több nagyobb beruházással is igyekeznek bebiztosítani első helyüket. Ezzel az AMD egymagában nyilvánvalóan nem veheti fel a versenyt, ám az IBM-mel vállvetve már jó eséllyel folytathatja a harcot - pláne, hogy idén a Nagy Kék produkálta a legnagyobb növekedést. A hosszú távú cél a 32 és 22 nanométeres csíkszélesség elérése, amely azonban csak az évtized végére sikerülhet.