Igen, stacked szerkezetnek hívják ezeket a tokon belüli (külön legyártt, majd) egymásra tett DRAM lapkákat, de azt hiszem, kettõnél többet nem tesznek egymásra, és jelenleg nincs belsõ kapcsolat, csak a lapkák szélein.
Viszont az IBM már évek óta kísérletezik egymásra épülõ félvezetõ-szintekkel, amik között kis függõleges csatornákat hoznak létre.
A hõelvezetés egy szimpla módja, ha a réz vezetõsávok megfelelõ részét vastagabbra képzik ki. (2D-ben sok helyet foglalna, de 3D-ben nem annyira zavaró.)
Tudom,hogy a melegedés nagy probléma, de eleve egy ilyen elrendezésnél, "amit tudomásom szerint egy ideje használnak dinamikus memóriáknál, egymás tetejére pakolják a memória mátrixokat" -- egy ilyen elrendezésnél eleve nagy az elektromos, mert a kocka alakban lehet a legtömörebb áramköri elrendezést megvalósítani, ezért a legrövidebbek lennének a vezetékek, ugyan annyi tranzisztor sem fogyasztana ilyen elrendezésben tized annyit mint a mai napig használt lap elrendezésben.
Bár igazad van,hogy ilyen kis térfogatban az a pár watt termikus disszipáció is nagy hõ terhelést jelentene. Én a megoldást se nem a nanoheatpipe-okban látom, sem a mini vízhûtésben sem, sem pedig a matálsóvegyületek nagy sebességgel való cirkuláltatása az áramkör lapok között kis csatornákban " bár ez magában hatásosnak tûnik, de túl bonyolult". Ami egyszerû, könnyen megvalósítható, és olcsó lenne, az szerintem a normál peltier elem úgy át alakítva,hogy egy bizonyos fókuszált pontról szívná el a hõt. Így meg lehetne oldani pár wattos hûtési teljesítménnyel, hogy egy két milliméteres ponton fokuszáljon akár -200 C fokot is. Azért tudom,hogy ezt meg lehet oldani, mert már csináltak ilyet, több lépcsõs peltier elemmel, mindig egy kisebb felületet hûtöttek így, majd a lépcsõ alján lévõ kis pár centis felületet közel 0 fokra tudtak hûteni. youtubon van róla video is. Már csak egy jó hõvezetõ fém hõtovábbító réteg kell a lapok közé vékonyan és remélhetõleg olcsón fejlesztés nélkül meg van oldva a hõtermelés témája :)) Ha mégsem, akkor nem volt igazam. De nagy kár,hogy nem nagyon erõltetik ezt a 3d elrendezést, többet kellene foglalkozni szerintem vele, mert ezzel 100-200 Ghz fölé is mehetnének a több millió tranyós chipek.
De szépnek és egyszerûnek is hangzik így. Csakhogy a többréteges chipek egyik fõbb problémája a hõelvezetés. De nyilvánvalóan a chiptervezéssel foglalkozók is eljutottak már ezekre a hatalmas felismerésekre, ami neked sikerült. Sõt, lehetett már látni heatpipe-os chipekrõl szóló híreket is. nanométeres szintû heatpipe-ok a tranzisztorok között. Ráadásul jobb szigetelést is nyújt, ezért lehetséges még további csíkszélesség csökkentés.
Inteltõl az atom, Viától a nano, Amdtõl ha jön egy energiatakarékos proci, akkor jön a következõ túlzó fokozat a kicsire? :S
Nem a HP-nek, hanem a Lenovonak adtak el olyan sokat. Ezzel a hírrel viszont tuti, hogy a HP-nek drágábban szállít az intel, a Dell majd bevásárol olcsóbban és fedezi a kiesést, és persze az istenadta vásárlók a HP-tól követelik majd a Nanot is, így muszályból fognak vásárolni. Talán épp félmilliót.
én azért szurkolok a viának, hogy ne csak egyszereplõs legyen ez a "netbook" vagy "netpc" piac..
Fizika órából tudjuk,hogy minél hosszabb a vezeték, és minél kisebb a vezeték átmérõje annál nagyobb lesz az ellenállása. Ezt még befolyásolja a vezetõ fajlagos ellenállása. Ezeket a változókat kellene optimalizálni. Egy nagy cpu magban a jelnek nagyon sokat kell utaznia "vezetékhossz", kis magban rövidebb ideig utazik, kisebb vezetékhosszban. Minél kisebb a csíkszélesség annál nagyobb az ellenállás, és a hõtermelés, de mivel kisebb a csíkszélesség, ezért kisebb lehet ugyan azon elrendezés felülete. 3. Megfelelõ vezetõ anyagot kell találni, és kifejleszteni a tömeggyártását chippeken alkalmazva.
Ha meg lehetne mondjuk oldani azt,hogy nem csak egy sík felületen rendezzük el a tranzisztorokat, hanem 3 dimenziós kocka testben akkor egy hatalmas nagyságrendel kisebbek lennének a tranzisztorokat összekötõ vezetékek hossza, ez kisebb ellenállást, és melegedést eredményezne. Ami lefordítva, kevesebb fogyasztás, nagyobb órajel. Sacc/kb akár pár százszor nagyobb lehet az órajel. Mivel ha pár nanométeres vastagságúak a tranzisztorok és erre még rájön a pár mikrométeres vastagságú silicium hordozó szubsztrát, és ilyen áramkör lapokat egymás tetejére pakolva egy mondjuk 10 cm X 10 cm áramköri lapot meg lehetne feleltetni egy 1mm X 1mm X 1mm es kocka alakú 3 dimenziós áramköri "palacsintának" elrendezésnek. Nagyon keveset kellene fogyasztania, mivel nagyon közel vannak egymáshoz a tranzisztorok, kisebb ellenállás leküzdése kell a jelek továbbításához, sokkal nagyobb frekvencián meg lehetne hajtani, akár pár száz Ghz is.
Tessék, ki lehet számolni,hogy ha a jel 300 000 km tesz meg másodpercenként akkor, mennyi távolságot tesz meg a jel a másodperc 3 milliárdod része alatt, azaz egy 3 Ghz proci egy ciklusa alatt. Ennyi idõ van arra ugyanis hogy az érték jeleket és az ütemadó jelét minden áramköri entitáshoz továbbítsa az áramkör. Az pár millimétert jelent, esetleg pár cm-t. Ezért meg a hatalmas hõ képzõdés miatt nem lehet tovább növelni a frekvenciát a mai arhitektúrákban.
Az Intel ott van technológiában (is), de azért csodákra nem képesek.
iagzából ettõl tartok most is :( jó lenne ha igaz lenne hogy a via végre az intel sarkára lépne és az intel összeszedné magát és kihozná az atomnak egy extreme változatát ami annyit fogyaszt mint egy hangya de megis tartaná az erejét is...egyszer eljön ez a szép álom is.
azt hiszem akkor volt c6 1Ghzes amikor még a k6-2 666mhz ketyeget :P ...igaz nagyobb volt a megaherzszám de nem volt mögötte kraft :P
Mintha a régebbi Intel procik nem tartalmaztak volna orbitális hibákat...
Amúgy majd megy a telefon az Inteltõl a HP-nek, hogy ezt mégis hogy merészelik...
Érdekes, amikor a számtechben is elõrébb való az elõítélet, mint a mérés...
"A VIA Nano chipje nemrég készült el és most besöpörte az elsõ nagyobb megrendelést. A HP ugyanis a Nano mellett döntött, amely az elsõ tesztekben szinte lemosta a pályáról az Intel Atomját."